大家好，来看(kàn)一(yī)则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之文言文许行原文及翻译注释，文言文许行原文及翻译及注释(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(文言文许行原文及翻译注释，文言文许行原文及翻译及注释zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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