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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光(guā武则天为什么不怀孕，武则天为什么没有孩子ng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至20武则天为什么不怀孕，武则天为什么没有孩子22年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(f武则天为什么不怀孕，武则天为什么没有孩子éi)长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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