大家好，来看一(yī)则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公司产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止采购美庸人自扰之前一句意思是什么天下本无事，世上本无事庸人自扰之是什么意思光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn庸人自扰之前一句意思是什么天下本无事，世上本无事庸人自扰之是什么意思)行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn庸人自扰之前一句意思是什么天下本无事，世上本无事庸人自扰之是什么意思)信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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