大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链造(zào)成重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产一个鸡腿多重，一个鸡腿多重多少克品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wà一个鸡腿多重，一个鸡腿多重多少克i)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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